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眾所周知，內(nèi)存與存儲(chǔ)之間存在巨大的性能鴻溝，兩者的性能幾乎有數(shù)百萬倍的差距。

但在強(qiáng)調(diào)用戶體驗(yàn)的互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)，每一秒的延遲可能都會(huì)導(dǎo)致用戶流失，為了提升數(shù)據(jù)訪問性能，是否可以將數(shù)據(jù)庫放置到內(nèi)存當(dāng)中?這就是內(nèi)存數(shù)據(jù)庫Redis誕生的背景，Redis在一定程度上緩解了性能需求，提升了用戶體驗(yàn)。

但是另外一個(gè)問題隨之誕生。

目前主流的服務(wù)器內(nèi)存基本都是DRAM，縱觀數(shù)十年來的DRAM發(fā)展情況，再結(jié)合未來發(fā)展趨勢(shì),比如DRAM的頻率從十年前DDR3的1033MHz，到現(xiàn)在的DDR4的3200MHz以及未來的DDR5，性能確實(shí)越來越高。但是容量呢?

DRAM內(nèi)存的單位容量幾乎沒有太大的起伏，盡管服務(wù)器內(nèi)部使用時(shí)的DDR內(nèi)存從主流的16GB過渡到32GB，但單條DDR內(nèi)存的容量始終保持在最大128GB，多少年來，幾乎沒有變化。

當(dāng)然，服務(wù)器隨著處理器的更新?lián)Q代而不停地更新，單顆處理器可支持的內(nèi)存通道數(shù)量從原來的4通道發(fā)展到現(xiàn)在的6通道、8通道，在一定程度上增加了可部署的內(nèi)存容量。但這依然“治標(biāo)不治本”，一則服務(wù)器的物理尺寸是業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的，很難變動(dòng)，這意味著物理空間受限，很難設(shè)計(jì)更多的內(nèi)存插槽;二則內(nèi)存的單位成本雖然根據(jù)市場(chǎng)波動(dòng)略有起伏，但總體變化不大，容量越大的內(nèi)存也意味著成倍的成本增加。

這個(gè)看似無解的問題，隨著IntelOptane中文名：傲騰)系列產(chǎn)品的發(fā)布而出現(xiàn)了曙光。IntelOptane用全新的3DXPoint材質(zhì)，有類似相變存儲(chǔ)的特性。其主要意義可以用兩點(diǎn)來概括：高性能與非易失性。

Intel率先推出了傲騰SSD，與傳統(tǒng)的NANDSSD相比，其擁有均衡的讀寫性能，而延遲則低一個(gè)數(shù)量級(jí)，讓市場(chǎng)領(lǐng)略到了傲騰的高性能。但SSD通常使用PCIe通道，PCIe技術(shù)的性能并不足以完全發(fā)揮出Optane的性能優(yōu)勢(shì)。因此，Intel又推出了OptanePresistentMemory(傲騰持久內(nèi)存，簡(jiǎn)稱PMem)。

傲騰持久內(nèi)存是一個(gè)全新的產(chǎn)品，其填補(bǔ)了內(nèi)存與主存儲(chǔ)之間的性能鴻溝。

傲騰持久內(nèi)存所帶來的現(xiàn)實(shí)意義，其延遲在納秒級(jí)別，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于NANDSSD的微秒級(jí)別延遲，可以為應(yīng)用增加一個(gè)新的存儲(chǔ)層，極大地提升應(yīng)用響應(yīng)速度

相比于CPU訪問內(nèi)存的延遲，訪問傲騰持久內(nèi)存的延遲肯定要高出很多。但傲騰持久內(nèi)存的意義在于，其容量非常大，比如第一代傲騰持久內(nèi)存PMem100的最小容量為128GB，后又陸續(xù)發(fā)布750GB與1.5TB的產(chǎn)品，單條傲騰持久內(nèi)存的容量遠(yuǎn)超傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存。

而且傲騰持久內(nèi)存的意義還在于，具備非易失性存儲(chǔ)特性，這是DRAM內(nèi)存所沒有的，這意味著即使在掉電的情況下，傲騰持久內(nèi)存依舊擁有保存數(shù)據(jù)的能力。

正因?yàn)榘硫v持久內(nèi)存同時(shí)具有DRAM的高性能和NANDSSD的非易失性存儲(chǔ)特性，使得其使用也非常靈活，既可以作為DRAM內(nèi)存的補(bǔ)充，增大系統(tǒng)內(nèi)存容量(內(nèi)存模式);又可以作為直接數(shù)據(jù)存儲(chǔ)(應(yīng)用直連模式);還可以一部分用作內(nèi)存，一部分用作數(shù)據(jù)持久存儲(chǔ)(混合模式)。

傲騰持久內(nèi)存擁有DRAM的特性，使得其可以作為傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存的補(bǔ)充，極大地增大應(yīng)用或系統(tǒng)可用的內(nèi)存空間，且無需應(yīng)用任何改動(dòng)。這天然就是內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的最佳載體。比如在SAPHANA解決方案中，就已經(jīng)認(rèn)證使用了傲騰持久內(nèi)存產(chǎn)品。

而現(xiàn)在，新浪也考慮使用傲騰持久內(nèi)存來承載其Redis數(shù)據(jù)庫，為用戶帶來更快、更好的訪問體驗(yàn)。為了驗(yàn)證傲騰持久內(nèi)存替代傳統(tǒng)內(nèi)存能否真的能夠滿足線上業(yè)務(wù)的需求，新浪在使用傲騰持久內(nèi)存之前，部署了一套貼近真實(shí)應(yīng)用環(huán)境的Redis內(nèi)存數(shù)據(jù)庫環(huán)境，使用傲騰持久內(nèi)存作為內(nèi)存(內(nèi)存模式)，利用memtier_benchmark工具對(duì)Redis實(shí)例進(jìn)行壓力測(cè)試，評(píng)估傲騰持久內(nèi)存在Redis數(shù)據(jù)庫環(huán)境下的性能表現(xiàn)。

新浪用于部署Redis數(shù)據(jù)庫環(huán)境的硬件平臺(tái)。采用近乎相似的硬件，圖左使用傲騰持久內(nèi)存來增大系統(tǒng)內(nèi)存容量，圖右的硬件平臺(tái)則采用傳統(tǒng)的DRAM方案

測(cè)試中所使用的memtier_benchmark軟件是RedisLabs推出的一款命令行工具，它能夠產(chǎn)生各種各樣的流量模式，可以對(duì)Memcached和Redis內(nèi)存數(shù)據(jù)庫實(shí)例進(jìn)行基準(zhǔn)性能測(cè)試，其測(cè)試結(jié)果已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)內(nèi)存數(shù)據(jù)庫性能評(píng)估的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。

在測(cè)試場(chǎng)景一中，根據(jù)實(shí)際業(yè)務(wù)需求對(duì)memtier_benchmark的測(cè)試流進(jìn)行調(diào)節(jié)，模擬數(shù)據(jù)塊大小為512KB尺寸的混合讀寫場(chǎng)景，讀寫比例為1:2，分別測(cè)試傲騰持久內(nèi)存和DRAM內(nèi)存的讀寫性能以及平均響應(yīng)延遲。

需要注意的是，在測(cè)試中選用了512KB這一尺寸較大的數(shù)據(jù)塊，其原因在于，當(dāng)傲騰持久內(nèi)存添加到服務(wù)器系統(tǒng)中，并使用內(nèi)存模式時(shí)，原來的DRAM內(nèi)存將作為傲騰持久內(nèi)存的緩存，當(dāng)較小的數(shù)據(jù)塊訪問，CPU可能實(shí)際訪問的就是DRAM內(nèi)存，其性能和延遲與使用DRAM內(nèi)存時(shí)幾乎沒有區(qū)別。因此在測(cè)試時(shí)選用了更大尺寸的測(cè)試數(shù)據(jù)塊，以評(píng)估傲騰持久內(nèi)存和傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存的性能差異。

上圖即為傲騰持久內(nèi)存(AEP)和傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存(RAM)的Redis性能對(duì)比圖，從圖中可以看到，即使是在512KB較大尺寸的數(shù)據(jù)塊混合讀寫時(shí)，盡管DRAM的性能更高，但差距并不明顯。而且隨著壓力測(cè)試時(shí)間的不斷持續(xù)，傲騰持久內(nèi)存與DRAM內(nèi)存之間的性能差距有變小的趨勢(shì)，這說明傲騰持久內(nèi)存完全有能力替代傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存。

傲騰持久內(nèi)存與傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存在Redis數(shù)據(jù)庫測(cè)試中的平均延遲曲線圖?？梢钥吹?，盡管傲騰持久內(nèi)存的延遲略高，但并不明顯，僅有大約5%的差距，這說明傲騰持久內(nèi)存擁有良好的性能穩(wěn)定性，可以作為傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存的補(bǔ)充。

在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中，IO數(shù)據(jù)塊的尺寸是不同的，通常有多種不同大小的數(shù)據(jù)塊并發(fā)訪問。因此，根據(jù)這一實(shí)際情況，在接下來的測(cè)試中采用了兩種尺寸的數(shù)據(jù)塊，分別為4KB和512KB，兩種尺寸的數(shù)據(jù)塊同時(shí)對(duì)Redis數(shù)據(jù)塊進(jìn)行并發(fā)讀寫測(cè)試，并按不同混合比例(20%、40%、50%、60%與75%)下的性能進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，并對(duì)比。

從上圖可以看出，在不同混合比例的大小數(shù)據(jù)塊壓力測(cè)試中，盡管傲騰持久內(nèi)存的平均延遲稍高，但幾乎與傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存沒有明顯差異。

同時(shí)，測(cè)試還對(duì)由多個(gè)Redis內(nèi)存數(shù)據(jù)庫組成的集群進(jìn)行了壓力測(cè)試，結(jié)果如下：

傲騰持久內(nèi)存的性能表現(xiàn)盡管會(huì)稍低傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存，但差異并不明顯。這意味著兩者的性能很接近，在應(yīng)用層面并不會(huì)造成明顯的差異，進(jìn)而導(dǎo)致不良的用戶體驗(yàn)。這也意味著傲騰持久內(nèi)存完全能夠替代傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存。

而相比于容量發(fā)展幾乎穩(wěn)定的DRAM內(nèi)存而言，傲騰持久內(nèi)存即將推出第二代PMem200系列產(chǎn)品，相比第一代傲騰持久內(nèi)存，其單條性能增加至少25%，同時(shí)在新一代Intel處理器中，將支持8通道內(nèi)存，這意味著在單臺(tái)服務(wù)器中可使用的傲騰持久內(nèi)存數(shù)量進(jìn)一步增加，據(jù)估計(jì)，單機(jī)性能將有50%的性能增長(zhǎng)。

除了性能之外，傲騰持久內(nèi)存的容量也將進(jìn)一步增長(zhǎng)，其擁有類似NANDSSD的容量發(fā)展路線。這意味著傲騰持久內(nèi)存不僅容量增長(zhǎng)，性能也會(huì)隨之增長(zhǎng)。替代傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存大有可為。

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